Samsung responde a la presión de TSMC y SK Hynix con chips de 1 nanómetro

Samsung Electronics enfrenta una competencia intensa en la industria global de semiconductores, donde TSMC y SK Hynix se han consolidado como líderes en sus respectivos mercados. La compañía taiwanesa TSMC domina la fabricación de circuitos integrados para terceros con una cuota cercana al 70%, mientras que Samsung ocupa el segundo lugar con apenas 7,2%, muy lejos del líder. En la tercera posición, la china SMIC se acerca con un 5,32% del mercado. Por su parte, en el negocio de memoria, Samsung ha liderado la producción de chips DRAM con aproximadamente un 40% del mercado, seguida de cerca por SK Hynix con un 29% y por Micron Technology con un 26%.

El primer trimestre de 2025 representó un desafío para Samsung en el sector de memoria HBM (High Bandwidth Memory), donde SK Hynix controla un abrumador 70% del mercado. Incluso en DRAM, SK Hynix mantiene una posición fuerte, complicando la estrategia de Samsung. Ante esta presión, la empresa surcoreana apuesta por una innovación radical: el desarrollo de chips con tecnología de 1 nanómetro (nm).

Según reportes de febrero de 2025, TSMC proyecta inaugurar la planta de fabricación Fab 25 en Tainan, Taiwán, dedicada a la producción de chips de 1 nm a gran escala para 2030. Samsung, en paralelo, concentra esfuerzos en la investigación y desarrollo de su fotolitografía de 1 nm, con el objetivo de finalizar esta fase en 2030 y comenzar la fabricación masiva en 2031. Este desarrollo permitirá a la empresa acercarse a TSMC y contrarrestar a SK Hynix en los segmentos de memoria avanzada y procesadores de alto rendimiento.

El progreso de Samsung en nodos de 1 nm se apoya en la optimización de sus chips de 2 nm, que actualmente enfrentan desafíos de eficiencia energética y rendimiento en comparación con los procesadores de TSMC de 3 nm, como los que integran los dispositivos Galaxy S26 y S26+. La compañía surcoreana planea incorporar la tecnología Fork Sheet, diseñada para superar las limitaciones de la arquitectura Gate-All-Around (GAA). Esta innovación permitirá aumentar la densidad de transistores en el mismo espacio, eliminando vacíos entre ellos y mejorando la eficiencia de los chips de 1 nm.

La apuesta tecnológica de Samsung no solo busca igualar el rendimiento de TSMC, sino también ofrecer ventajas competitivas en memoria y procesadores, reforzando su posición frente a SK Hynix en HBM y DRAM. La implementación de la fotolitografía de 1 nm supone un desafío técnico considerable, que incluye la producción de obleas de 12 pulgadas con líneas de fabricación altamente precisas y sistemas de control de calidad avanzados.

Con esta estrategia, Samsung demuestra que la innovación tecnológica es su principal arma para competir en la industria de semiconductores. El desarrollo de chips de 1 nm promete redefinir los estándares de rendimiento y eficiencia energética, estableciendo un nuevo capítulo en la carrera global por la supremacía en procesadores y memoria de próxima generación. La industria observa atentamente cómo estos avances podrían cambiar la distribución de liderazgo en los próximos años.

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